発光ダイオ-ドおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上野英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154957
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031539
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】成長層におけるひずみ処理および不純物制御の施された発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施例によれば、ひずみ処理および不純物ゲッタリングの役目を果たすよう、界面層が発光ダイオードまたはレーザ・ダイオード構造に加えられる。Mg、Zn、CdがドープされたGaNまたはAlxInyGa1-x-yN層(0≦x≦1、0≦y≦1)を、この層に使用することができる。あるいはまた、AlxInyGa1-x-yN(x>0)を使用する場合、その層はアンドープでよい。界面層は、n型(GaN:Si)層と素子構造体のその他の部分とを成長させる前に、バッファ層の最上部に直接堆積される。界面層の厚さは、0.01〜10.0μmの範囲で変化する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、特定不純物に対して親和力を持つ成分を有する界面層と、前記界面層上に形成されたn型層と、前記n型層上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成されたp型層と、一方が前記n型層に接続されており、他方が前記p型層に接続された2つの電気コンタクトと、を備えて成る発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭63-198320
窒化ガリウム系半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-310333 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-249391

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審査官引用 (11件)

特開昭63-198320
特開昭63-198320
窒化ガリウム系半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-310333 出願人：松下電器産業株式会社

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