特許

J-GLOBAL ID：200903016379994759

抵抗変化素子とその作製方法

発明者： 吉井 重雄 ,  山下 一郎
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-232327
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065003
出願日： 2007年09月07日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】単純かつ容易な工程で実現できる電流経路を備え、微細化可能な抵抗変化素子を提供する。【解決手段】第1電極203上に、トンネル絶縁膜204と、金属ナノ粒子206と、抵抗変化膜207と、第2電極208を備えることにより、金属ナノ粒子の配置位置に微細な電流経路を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、前記第1電極上に形成されたトンネル障壁層と、前記トンネル障壁層上に配置された直径2nm以上10nm以下の金属ナノ粒子と、前記トンネル障壁層上および前記金属ナノ粒子上に形成された、印加電圧に応じて抵抗が変化する抵抗変化層と、前記抵抗変化層上に形成された第2電極を備えた抵抗変化素子。

IPC (4件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 29/06

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/06 601N

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 国際公開第2005/041303号パンフレット
  
• 不揮発性メモリ抵抗体セル及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-361983   出願人：シャープ株式会社
• 可変抵抗素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-125432   出願人：シャープ株式会社
• 抵抗変化型記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-375255   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-020629   出願人：松下電器産業株式会社