特許

J-GLOBAL ID：200903095498427606

可変抵抗素子及びその製造方法

発明者： 細井 康成 ,  石原 数也 ,  渋谷 隆広 ,  大西 哲也 ,  中野 貴司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-125432
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180473
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】 可変抵抗体の電気的に寄与する領域の面積が上部電極若しくは下部電極等で規定される面積よりも微細な面積である構造の可変抵抗素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板5上に配置される下部電極1の上部には、突起電極物2が形成される。突起電極物2は、下部電極1の接触面と異なる面に可変抵抗体3と接触されており、この可変抵抗体3が突起電極物2との接触面と異なる面において上部電極4と接触している。これによって突起電極物2(可変抵抗体3)と上部電極4とのクロスポイント部分可変抵抗体の電気的に寄与している領域になるため、従来の可変抵抗素子における領域よりも、その面積が縮小される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

2つの電極間に可変抵抗体を設けてなり、 前記2つの電極間に電圧パルスを印加することにより、前記2つの電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、 前記2つの電極のうちの何れか一方の電極と接触するとともに、他方の電極に向かって延伸する突起電極物を有し、 前記可変抵抗体が、前記突起電極物と前記他方の電極との間に形成されることを特徴とする可変抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L 27/10 ,  H01L 49/02 ,  H01L 49/00 ,  H01L 45/00

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L49/02 ,  H01L49/00 Z ,  H01L45/00 Z

Fターム (21件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA57 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6204139号明細書
  
• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-600308   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

審査官引用 (4件)

• 相変化材料の電子メモリ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-118298   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-164659   出願人：三星電子株式会社
• 抵抗変化素子および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-028014   出願人：松下電器産業株式会社
• 細孔構造体及びその製造方法、メモリ装置及びその製造方法、吸着量分析装置、並びに磁気記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-356431   出願人：ソニー株式会社