特許
J-GLOBAL ID：200903016442070902
ハイブリッド光電子集積用実装基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201862
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048449
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 従来方法と比較して、作製工程が簡単であり、かつ電気配線部と基板の間に誘電体層を形成することにより電気特性の向上を図ることが可能となるハイブリッド光電子集積用実装基板の製造方法を提供する。【解決手段】 コア層を所望の形状のコア部にパターン化する際に、少なくとも電気配線部の一部を含む領域に対応した部分がパターン化されたコア部に含まれるようにするとともに、光素子搭載部を形成した後、電気配線部の一部を含む領域に対応した部分の基板上に、光導波路の一部からなる誘電体層を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に下部クラッド層およびコア層を順次積層する工程と、前記コア層を所望の形状のコア部にパターン化し、続いて上部クラッド層を積層して光導波路部を設ける工程と、前記光導波路部の所望分を断面凹型状に除去して光素子搭載部を形成する工程と、該凹形状の底部に電気配線部を設ける工程とを有し、さらに、前記コア層を所望の形状のコア部にパターン化する際に、前記電気配線部の少なくとも一部を含む領域に対応した部分が前記パターン化されたコア部に含まれるようにするとともに、前記光素子搭載部を形成した後、前記電気配線部の一部を含む領域に対応した部分の基板上に、光導波路の一部からなる誘電体層を形成することを特徴とするハイブリッド光電子集積用実装基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02B 6/12 M
, G02B 6/12 B
