特許
J-GLOBAL ID：200903016452570954
半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-220341
公開番号（公開出願番号）：特開平9-062013
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】ドライエッチングにより形成される側壁保護堆積膜を容易に除去でき、配線素材となる各種の金属素材からなる導電層を腐食せず、エッチングによるコロージョンも発生しないような半導体装置洗浄剤、及び高精度の回路配線を製造する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】フッ素化合物およびベタイン化合物と、アミド類、ラクトン類、アルコール類から選ばれた一種以上の有機溶剤を含む半導体装置用洗浄剤および、ドライエッチングにより配線構造を形成する際、導電層及びフォトレジストの側壁部に発生する保護堆積膜を、該半導体装置用洗浄剤を用いて剥離する半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
フッ素化合物を0.1〜20重量%、ベタイン化合物1〜50重量%、残部が水であることを特徴とする半導体装置用洗浄剤。
IPC (5件)：
G03F 7/42
, C11D 1/90
, C11D 3/04
, H01L 21/027
, H01L 21/308
G03F 7/42
, C11D 1/90
, C11D 3/04
, H01L 21/308 G
, H01L 21/30 572 B
