特許
J-GLOBAL ID：200903016503675845

ポジ型レジスト組成物

発明者：
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-300944
公開番号（公開出願番号）：特開2003-107709
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：
【要約】【課題】 コンタクトホールパターン形成時のハーフトーン位相差シフトマスク適性と解像力に優れたポジ型レジスト組成物、更には、エッチング時のホール変形が少なく、アンダー露光時の露光マージンが広いポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)3種の特定の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位、一般式(II)で表される繰り返し単位、式(III)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(I)において、R1は水素原子又はメチル基を表し、Aは単結合又は連結基を表し、ALGは下記一般式(pI)〜一般式(pV)のいずれかを表す。【化2】式中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、及びR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。【化3】一般式(II)において、R2はアルキル基を表す。mは0〜4の整数を表す。nは0〜4の整数を表す。mが2〜4であるとき、複数のR2は、同じでも異なっていてもよい。【化4】一般式(III)において、R3は水素原子又はメチル基を表す。A3は単結合又は2価の連結基を表す。Z3はp+1価の脂環式炭化水素基を表す。pは1〜3の整数を表す。
IPC (5件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F224/00 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F224/00 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (26件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08R ,  4J100AQ01Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC12R ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (4件)
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