特許
J-GLOBAL ID：200903049321217782

遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

発明者：
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について

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児玉 邦彦

児玉 邦彦 について

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青合 利明

青合 利明 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146775
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338674
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、孤立ラインパターンのデフォーカスラチチュードが広い、優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに(ロ)脂環式炭化水素構造を含む基で保護された特定のアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位及び特定の繰り返し単位を含有し、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物が提供される。
請求項（抜粋）：
(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに(ロ)下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位及び下記一般式(II)で表される繰り返し単位を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(pI)〜(pVI)中;R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。【化2】一般式(II)中;R1は、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。R2〜R4は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2〜R4のうち少なくとも1つは、水酸基を表す。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/12 ,  C08L 33/06
FI (3件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/12 ,  C08L 33/06
Fターム (118件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE08 ,  2H025CB06 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB15 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  4J002BC111 ,  4J002BC121 ,  4J002BE041 ,  4J002BF011 ,  4J002BG011 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG071 ,  4J002BG101 ,  4J002BG111 ,  4J002BG131 ,  4J002BH021 ,  4J002CF271 ,  4J002CH051 ,  4J002EB116 ,  4J002EB146 ,  4J002ED076 ,  4J002EH146 ,  4J002ES006 ,  4J002EU186 ,  4J002EU216 ,  4J002EV216 ,  4J002EV296 ,  4J002EV306 ,  4J002EV316 ,  4J002FD200 ,  4J002FD310 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07R ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM17R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05P ,  4J100BA05R ,  4J100BA06P ,  4J100BA06R ,  4J100BA08R ,  4J100BA11R ,  4J100BA12P ,  4J100BA12R ,  4J100BA14P ,  4J100BA14Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15R ,  4J100BA16P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BA23P ,  4J100BA23Q ,  4J100BA34R ,  4J100BA37R ,  4J100BA38R ,  4J100BA40P ,  4J100BA40Q ,  4J100BA41P ,  4J100BA41Q ,  4J100BA55R ,  4J100BA58R ,  4J100BA59R ,  4J100BB01P ,  4J100BB01Q ,  4J100BB01R ,  4J100BB03P ,  4J100BB05P ,  4J100BB05Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BC02P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC07P ,  4J100BC07R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC23R ,  4J100BC26R ,  4J100BC43R ,  4J100BC48R ,  4J100BC49R ,  4J100BC53R ,  4J100BC58R ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (13件)
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