特許

J-GLOBAL ID：200903016587192615

酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ

発明者： 長谷川 彰 ,  小廣 健司 ,  福原 昇
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  三上 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-296984
公開番号（公開出願番号）：特開2009-123957
出願日： 2007年11月15日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】 実用に耐え得る酸化物半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ等の電子デバイス、及び酸化物半導体材料の製造方法を提供する。【解決手段】 この酸化物半導体材料の製造方法では、Zn及びSnを含有する酸化物ターゲットを用意し、基板をチャンバ内に配置し、酸化物ターゲットをチャンバ内に配置する。酸化物ターゲットを希ガスでスパッタすることによりターゲット材料を基板上に堆積する。この酸化物半導体材料は、Inを含有せず、且つ、電子キャリア濃度が1×1015/cm3より大きく1×1018/cm3未満となるようにする。スパッタ時においては、酸化物ターゲットと同時にスパッタされる位置に、ドーパント材料を更に配置することが好ましい。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

酸化物半導体材料であって、 Zn及びSnを含有し、 Inを含有せず、且つ、 電子キャリア濃度が1×1015/cm3より大きく1×1018/cm3未満である、 ことを特徴とする酸化物半導体材料。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/08

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618A ,  C23C14/08 K

Fターム (37件)：

4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103KK01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL07 ,  5F103NN01 ,  5F103PP11 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-096983   出願人：シャープ株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208948   出願人：ホーヤ株式会社
• 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325370   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 三元化合物チャネル層を有する半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-521845   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー., ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Electrical and optical properties of Al-doped ZnO-SnO2 thin films deposited by RF magnetron sputteri