特許
J-GLOBAL ID：200903049550143814

三元化合物チャネル層を有する半導体デバイス

発明者：
ホフマン,ランディ

ホフマン,ランディ について

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チャン,ハイ

チャン,ハイ について

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ウェイガー,ジョン

ウェイガー,ジョン について


出願人/特許権者：
ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.

ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. について

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ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ

ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ について


代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-521845
公開番号（公開出願番号）：特表2006-528843
出願日： 2004年06月25日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
ソース電極(20、82)と、ドレイン電極(22、84)と、ソース電極(20、82)及びドレイン電極(22、84)に結合されているチャネル(18、92)とを備えている半導体デバイス。チャネル(18、92)は、亜鉛及びスズ、酸素を含む三元化合物から構成されている。半導体デバイスはさらに、チャネル(18、92)に電界をかけることができるように構成されているゲート電極(12、80)を備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ソース電極(20、82)と、 ドレイン電極(22、84)と、 前記ソース電極(82)及び前記ドレイン電極(84)に結合され、亜鉛及びスズ、酸素を含む三元化合物から構成されているチャネル(18、92)と、 前記チャネル(18、92)に電界を適用することができるように構成されているゲート電極(12、80)とを備えている半導体デバイス。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (1件)：
H01L29/78 618B
Fターム (16件)：
5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (8件)
  • Influence of substrate temperature on the electrical behaviour of zinc stannate thin films deposited
  • Influence of substrate temperature on the electrical behaviour of zinc stannate thin films deposited
  • Growth and characterization of radio frequency magnetron sputter-deposited zinc stannate, Zn2SnO4, t
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