特許

J-GLOBAL ID：200903016624811436

アニール用治具及びアニール方法

発明者： 小川 宏幸 ,  千品 裕嗣 ,  渡辺 智行
出願人/特許権者： 株式会社IHI
代理人 (3件)： 堀田 実 ,  仲宗根 康晴 ,  野村 俊博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-091272
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078606
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：

【課題】基板へのパーティクル等の汚染粒子の付着を大幅に減少させることができ、液晶用基板のような大型の基板を処理する場合でも治具内部の基板の処理空間に結露が発生せず、治具に吸着や破損が生じず、均熱空間に収納可能な基板枚数を増大できるアニール用治具及びアニール方法を提供する。【解決手段】本発明のアニール用治具10Aは、容器本体12の上部が蓋部材16によって閉じられたときの容器本体12と蓋部材16との接触部18に、水蒸気などの処理用ガスの通過を許容し所定の粒径以上のパーティクル等の汚染粒子の通過を阻止する微細流路が形成される。容器本体12は、処理空間11と外部とを連通し基板1が載置部13に載置されたときに基板1によって塞がれる連通路14を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

内部に基板を収容してアニール処理を行うためのアニール用治具であって、 上部が開放し基板を載置する載置部を有する容器本体と、該容器本体の上部に載置されて該上部を閉じ前記容器本体との間に基板の処理空間を形成する蓋部材とを備え、 前記容器本体の上部が前記蓋部材によって閉じられたときの前記容器本体と前記蓋部材との接触部に、処理用ガスの通過を許容し所定の粒径以上の粒子の通過を阻止する微細流路が形成され、 前記容器本体は、前記処理空間と外部とを連通し前記基板が前記載置部に載置されたときに前記基板によって塞がれる連通路を有する、ことを特徴とするアニール用治具。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/683 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L21/316 S ,  H01L21/31 E ,  H01L21/68 N ,  H01L21/324 Q

Fターム (36件)：

5F031CA05 ,  5F031DA12 ,  5F031EA01 ,  5F031EA12 ,  5F031EA19 ,  5F031EA20 ,  5F031HA12 ,  5F031MA30 ,  5F031PA23 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE30 ,  5F045AF07 ,  5F045BB15 ,  5F045DP02 ,  5F045DP19 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F058BA09 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BF55 ,  5F058BF58 ,  5F058BF63 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置の絶縁膜の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-083395   出願人：三菱電機株式会社
• 高圧アニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-317106   出願人：石川島播磨重工業株式会社
• 液晶用又は半導体用基板のアニール方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-294544   出願人：石川島播磨重工業株式会社
• 半導体ウェハ又は液晶用基板のアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-295197   出願人：石川島播磨重工業株式会社