特許
J-GLOBAL ID：200903016651786079
レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-074815
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268308
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】基板の表面に形成されているレジストをきれいに除去することができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。 【解決手段】ウエハWの表面に硫酸の液膜を形成する工程に先立って、高速回転しているウエハWの表面に過酸化水素水が供給されることにより、ウエハWの表面の全域が過酸化水素水によって湿潤した状態にされる。これにより、硫酸の液膜を形成する工程では、ウエハWの表面中央部に供給される硫酸が、レジストの疎水性およびウエハWの表面に形成されているパターンの影響を受けずに、ウエハWの表面上をその供給位置を中心とする同心円状に拡が拡がる。そのため、ウエハWの表面全域にほぼ均一な膜厚を有する硫酸の液膜がむらなく形成される。よって、その後、過酸化水素水を供給することにより、ウエハWの表面上の全域でSPMを生成させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、
処理対象の基板の表面に硫酸を供給して、その基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程と、
この液膜形成工程に引き続いて、硫酸の液盛りによる液膜が形成されている基板の表面に過酸化水素水を供給することにより、基板の表面上で硫酸と過酸化水素水とを混合してレジスト剥離液を生成するレジスト剥離液生成工程と、
上記液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に過酸化水素水または純水を供給して、過酸化水素水または純水によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
IPC (3件)：
H01L21/027
, G03F7/42
, H01L21/304
H01L21/30 572B
, G03F7/42
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 647Z
, H01L21/304 648H
, H01L21/304 648K
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096LA02
, 5F046MA02
, 5F046MA06
, 5F046MA10
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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