特許

J-GLOBAL ID：200903016725085213

積層薄膜その製造方法および電子デバイス

発明者： 野口 隆男 ,  矢野 義彦 ,  斉藤 久俊 ,  阿部 秀典
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131858
公開番号（公開出願番号）：特開2002-029894
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年01月29日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上で、優先的に(001)配向させた任意の厚さの強誘電体薄膜を含む積層薄膜、その製造方法、および電子デバイスを提供する。【解決手段】 基板上にエピタキシャル成長した積層薄膜で、酸化物からなるバッファ層と強誘電体薄膜を有し、前記バッファ層と強誘電体薄膜との間に金属薄膜と酸化物薄膜がこの順で形成された層を有する構成の積層薄膜、その製造方法、および電子デバイスとした。

請求項（抜粋）：

基板上にエピタキシャル成長した積層薄膜で、酸化物からなるバッファ層と強誘電体薄膜を有し、前記バッファ層と強誘電体薄膜との間に金属薄膜と酸化物薄膜がこの順で形成された層を有する積層薄膜。

IPC (3件)：

C30B 29/32 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105

FI (4件)：

C30B 29/32 D ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (18件)：

4G077AA03 ,  4G077BC43 ,  4G077DA01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 積層薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-106776   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 膜構造体、電子デバイス、記録媒体および強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-186625   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 積層薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-134634   出願人：ティーディーケイ株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Completely<111>-textured growth and enhanced ferroelectric properties of Pb(Ta0.05Zr0.48Ti0.47)O3 fi
• Thickness dependence of material properties of epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 films on Ir/(100)(ZrO2)1-x(Y