分子電子デバイスを形成するための保護層

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岡田次生 , 伏見直哉 , 平野ゆかり
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-575993
公開番号（公開出願番号）：特表2005-509266
出願日： 2002年03月21日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】処理中に電子デバイスのアクティブ分子層の元の状態を保持する分子電子デバイスを形成するプロセスが記載される。【解決手段】一態様では、下側ワイヤ層と上側ワイヤ層との間に配置される分子層を有する分子電子デバイスを形成する方法を提供する。本発明の方法によれば、保護層が配設され、それにより上側ワイヤ層のパターニング中に分子層が劣化するのを防ぐ。この製造プロセスから形成される分子電子デバイス構造およびメモリシステムが記載される。

請求項（抜粋）：

下側ワイヤ層と上側ワイヤ層との間に分子層が配置される分子電子デバイスを形成する方法であって、前記分子層が上側ワイヤ層のパターニング中に劣化するのを防ぐために、保護層を入れることを含む方法。

IPC (3件)：

H01L27/10 , H01L29/06 , H01L29/66

FI (4件)：

H01L27/10 451 , H01L27/10 431 , H01L29/06 601N , H01L29/66 T

Fターム (10件)：

5F083CR14 , 5F083CR15 , 5F083FZ10 , 5F083HA02 , 5F083JA01 , 5F083JA02 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083PR21 , 5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,128,214号

審査官引用 (9件)

特開平2-215173
電界発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-211241 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平3-073336

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