特許
J-GLOBAL ID：200903016763805971
高硬度高密着性DLC膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
関 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-326218
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144426
出願日： 1998年11月17日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：
【要約】【課題】 被コーティング物の表面に密着性の良い高硬度膜を高速に形成する方法を提供する。【解決手段】 被コーティング物を収容した真空容器に炭素を含有する第1原料ガスとシリコンを含有する第2原料ガスを導入し、電子ビームガンからの加速された電子ビームを照射して電離解離することにより第1と第2の原料ガスの電子ビーム励起プラズマを生成し、さらに被コーティング物に負のバイアス電圧を印加することにより、被コーティング物の表面にシリコン含有ダイヤモンドライク炭素(DLC)膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
被コーティング物を収容した真空容器に炭素を含有する第1原料ガスとシリコンを含有する第2原料ガスを導入し、電子ビームガンにより加速した電子ビームを照射して前記第1と第2の原料ガスを電離解離することにより電子ビーム励起プラズマを生成し、前記被コーティング物に負のバイアス電圧を印加することにより、シリコン含有ダイヤモンドライク炭素(DLC)膜を前記被コーティング物の表面に成膜する成膜工程を有することを特徴とする高硬度高密着性DLC膜の成膜方法。
Fターム (7件)：
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030BA29
, 4K030FA01
, 4K030JA05
, 4K030JA17
