特許
J-GLOBAL ID:200903016783786094

エラストマーの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小田島 平吉 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-504743
公開番号(公開出願番号):特表2000-514120
出願日: 1997年07月02日
公開日(公表日): 2000年10月24日
要約:
【要約】ユーラストマーは触媒として式(I)または(XIII)のメタロセン化合物またはπ-錯体化合物を用い、固相、溶液、スラリーまたはガス相中でC2〜C8-α-オレフィン、C4〜C15-ジオレフィン及び他の単量体を(共)重合させることにより製造することができ、ここにCpI及びCpIIはシクロペンタジエニルを含有する構造を有するカルボアニオンを表し、πI及びπIIは電荷されるかまたは電気的に中性のπ系を表し、Dはドナー原子を表し、Aはアクセプター原子を表し、ここにD及びAはドナー基が正の(部分)電荷を受け持ち、そしてアクセプター基が負の(部分)電荷を受け持つように逆の配位結合により結合され、Mはランタニド及びアクチニドを含む元素の周期表の第III、IV、VまたはVI亜族の遷移金属を表し、Xは1種の陰イオン等価物を表し、そしてnはMの電荷に依存して0、1、2、3または4である。
請求項(抜粋):
共触媒により活性化し得る有機金属触媒の存在下においてバルク、溶液、スラリーまたはガス相中でC2〜C8-α-オレフィン、開鎖の、一環式及び/または多環式C4〜C15-ジオレフィン、モノ-またはジハロゲン化されたジオレフィン、ビニルエステル、(メタ)アクリレート並びにスチレンよりなる群からの単量体の(共)重合により飽和もしくは不飽和のエラストマーを製造する際に、有機金属触媒として式 式中、CpI及びCpIIはシクロペンタジエニル-含有構造を有する2種の同一もしくは相異なるカルボアニオンであり、ここに1個から全てのH原子はハロゲンで1置換から完全に置換されるか、フェニルで1〜3置換されるか、或いはビニル、C6〜C12-アリール、炭素原子6〜12個を有するハロゲノアリール、有機金属置換基例えばシリル、トリメチルシリルまたはフェロセニルで1〜3置換されることができる直鎖状もしくは分枝鎖状のC1〜C20-アルキルよりなる群からの同一もしくは相異なる基で置換されることができ、そして1または2個はD及びAで置換されることができ、Dは加えて置換基を持つことができ、そしてその特殊な結合状態において少なくとも1個の遊離電子対を有するドナー原子を表し、Aは加えて置換基を持つことができ、そしてその特殊な結合状態において1個の電子対ギャップを有するアクセプター原子を表し、ここに D及びAはドナー基が正の(部分)電荷を受け持ち、そしてアクセプター基が負の(部分)電荷を受け持つように逆の配位結合により結合され、 Mはランタニド及びアクチニドを含む元素の周期表(メンデレーフ)のIII、IV、VまたはVI亜族の遷移金属を表し、 Xは1種の陰イオン等価物を表し、そして nはMの電荷に依存して0、1、2、3または4の数を表す、のメタロセン化合物、或いは式 式中、πI及びπIIは1または2種の不飽和もしくは飽和の5または6員環と融合し得る異なる電荷または電気的に中性のπ系を表し、 DはπIまたはπIのπ系の部分の置換基であり、そしてその特殊な結合状態における少なくとも1個の自由電子対を有するドナー原子を表し、 AはπIIまたはπIIのπ系の部分の置換基であり、そしてその特殊な結合状態における1個の電子対ギャップを有するアクセプター原子を表し、ここにD及びAはドナー基が正の(部分)電荷を受け持ち、そしてアクセプター基が負の(部分)電荷を受け持つように逆の配位結合により結合され、そしてここにD及びAの少なくとも1個は特殊な結合されたπ系の部分であり、ここにD及びAはまた置換基を持つことができ、ここに各々のπ系及び各々の融合された環系は1種またはそれ以上のDまたはA或いはD及びAを含むことができ、そしてここに非融合または融合状態におけるπI及びπIIにおいて、π系の1個から全てのH原子は相互に独立してハロゲンで1置換から完全に置換されるか、フェニルで1〜3置換されるか、或いはビニル、C6〜C12-アリール、炭素原子6〜12個を有するハロゲノアリール、有機金属置換基例えばシリル、トリメチルシリルまたはフェロセニルで1〜3置換されることができる直鎖状もしくは分枝鎖状のC1〜C20-アルキルよりなる群からの同一もしくは相異なる基で置換されることができるか、或いは1または2個は逆配位D→A結合が(i)特殊なπ系または融合された環系の両方の部分であるD及びA間で生じるか、(ii)DまたはAがπ系の部分であり、そして各々の場合に非融合π系または融合環系の置換基であるか、或いは(iii)D及びAの両方がかかる置換基であり、ここに(iii)の場合に少なくとも1個の追加のDもしくはAまたは両方がπ系または融合された環系の部分であるようにD及びAで置換されることができ、M及びXは上記の意味を有し、そして nはM並びにπ-I及びπ-IIの電荷に依存して0、1、2、3または4の数を表す、のπ錯体化合物、または殊にメタロセン化合物を用いることからなる、飽和もしくは不飽和のエラストマーの製造方法。
IPC (2件):
C08F 4/64 ,  C08F 10/00
FI (2件):
C08F 4/64 ,  C08F 10/00
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 工業用途用シクロオレフィン(共)重合体の製造方法
    公報種別:公表公報   出願番号:特願平10-504739   出願人:バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
  • 熱可塑性エラストマーの製造方法
    公報種別:公表公報   出願番号:特願平10-504741   出願人:バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
  • 高融点ポリオレフィン類の製造方法
    公報種別:公表公報   出願番号:特願平10-504740   出願人:バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
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引用文献:
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