有機TFTおよびその作製方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053596
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258261
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】高いゲインを有する有機TFTを提供する。【解決手段】有機TFT10は、基板12の上に、順次、ゲート電極16、ゲート絶縁膜18および有機半導体20を有し、さらに、有機半導体20の上に対向、離間してソース電極22およびドレイン電極24を有する。基板12はガラスで形成される。ゲート電極16はタンタルで形成される。ゲート絶縁膜18はゲート電極16を陽極酸化して、高い比誘電率を有する薄厚で緻密な膜に形成される。有機半導体20は材料としてペンタセンを用い、キャリアの移動度の大きなチャネルとして形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体ならびにソース電極およびドレイン電極を有する有機TFTにおいて、該ゲート絶縁膜が、該ゲート電極の表面を陽極酸化して形成された金属酸化膜からなることを特徴とする有機TFT。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301 , H01L 21/283 , H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 51/00

FI (6件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/283 B , H01L 21/316 T , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 617 W , H01L 29/28

Fターム (40件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD89 , 4M104EE03 , 4M104GG09 , 5F058BA01 , 5F058BB07 , 5F058BC03 , 5F058BF70 , 5F058BH01 , 5F058BJ04 , 5F110AA07 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-274283 出願人：シャープ株式会社
プラズマアドレス型有機EL装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-264105 出願人：出光興産株式会社
有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-028474 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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