特許
J-GLOBAL ID：200903016816967499
熱処理方法および熱処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-106894
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260018
出願日： 2008年04月16日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】光照射の総時間が1秒以下の光照射加熱において、ピークが発光出力LPとなる出力波形にて半導体ウェハーに光照射を行う第1段階と、そのピークが過ぎた後に発光出力LPよりも小さな発光出力にて半導体ウェハーWに追加の光照射を行う第2段階と、によって構成される2段階照射を行う。第2段階の発光出力はピーク時の発光出力LPの3分の2以下である。第1段階の光照射時間は0.1ミリセカンド以上10ミリセカンド以下であり、第2段階の光照射時間は5ミリセカンド以上である。半導体ウェハーの表面温度を概ね一定の処理温度T2に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
ピークが第1の発光出力となる出力波形にて基板に光照射を行う第1光照射工程と、
前記ピークを過ぎた後に前記第1の発光出力よりも小さな発光出力にて基板に追加の光照射を行う第2光照射工程と、
を備え、
前記第1光照射工程での光照射時間と前記第2光照射工程での光照射時間との合計が1秒以下であることを特徴とする熱処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/26
, C23C 14/50
, C23C 16/46
, C23C 14/58
, H01L 21/265
H01L21/26 T
, C23C14/50 E
, C23C16/46
, C23C14/58 A
, H01L21/265 602B
, H01L21/26 Q
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029CA10
, 4K029DA08
, 4K029FA06
, 4K029GA01
, 4K030DA09
, 4K030KA24
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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