特許
J-GLOBAL ID:200903016850251192
半導体製造装置用部材とその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
中村 友之
, 三好 秀和
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
, 鈴木 壯兵衞
, 高久 浩一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-032995
公開番号(公開出願番号):特開2004-247361
出願日: 2003年02月10日
公開日(公表日): 2004年09月02日
要約:
【課題】プラズマ処理装置の反応容器内で使用される部材の寿命を延ばす。【解決手段】プラズマ処理装置内で使用される半導体製造装置用部材において、使用の際に最もプラズマ衝撃の大きい箇所を含む耐食材部分と、それ以外の母材部分とを有し、耐食材部分を、母材部分を構成する材料より耐プラズマエッチング性の高い材料で形成する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
プラズマ処理装置の反応容器内で使用される半導体製造装置用部材であって、使用の際、前記部材表面において最もプラズマ衝撃の大きい場所を含む耐食材部分と、
前記耐食材部分以外の母材部分とを有し、
前記耐食材部分は、前記母材部分を形成する第1の材料より、使用の際の条件において耐プラズマエッチング性の高い第2の材料で形成されていることを特徴とする半導体製造装置用部材。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/302 101G
, H01L21/205
Fターム (14件):
5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB23
, 5F004BB28
, 5F045AA08
, 5F045BB14
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EF05
, 5F045EH05
, 5F045EH12
, 5F045EH20
引用特許:
審査官引用 (5件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-169209
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-106429
出願人:ソニー株式会社
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エツチング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-328185
出願人:日新電機株式会社
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