特許
J-GLOBAL ID：200903016852403011

基板表面から材料を選択的に除去する方法とウエハー用のマスキング材料およびマスキング材料を伴うウエハー

発明者：
ハウスナー、マーティン

ハウスナー、マーティン について


出願人/特許権者：
ペルキンエルメル オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

ペルキンエルメル オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-528502
公開番号（公開出願番号）：特表2005-536051
出願日： 2003年08月14日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
本発明は凹部を作成するために基板の表面から材料を選択的に除去する方法に関し、以下の工程を含む:望ましい選択的除去に合わせて当該基盤の表面にマスク(被覆)を塗布し、そして当該基板を乾式エッチングするが、被覆材料として金属、好ましくはアルミニウムが使用される。エネルギーをプラズマ中に誘導的に注入できる。
請求項（抜粋）：
工程として、 -望ましい選択的除去に従って基板表面上にマスク(被覆)を塗布し、 -当該基板を乾式エッチングし、そして -乾式エッチングにおいてエッチング媒質に誘導電力結合をかける工程を含み、 金属、好ましくはアルミニウムを被覆形成に使用し、 当該基板は誘導結合から当該プラズマの自由行程長の少なくとも2倍、好ましくは少なくとも3倍或いは少なくとも8cmの距離を置く事を特徴とした、 溝を作成するためにシリコン含有基板の表面から材料を選択的に除去する方法。
IPC (1件)：
H01L21/3065
FI (1件)：
H01L21/302 101C
Fターム (9件)：
5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA05 ,  5F004EB08
引用特許：
審査官引用 (6件)
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