特許
J-GLOBAL ID：200903016870503635

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者：
岩井 哲博

岩井 哲博 について

, 
有田 潔

有田 潔 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-209052
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055703
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】半導体基板を十分な静電保持力で保持するとともに、半導体基板の冷却効率を向上させることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】保護テープ6aが貼着されたシリコンウェハ6を第1電極3上に静電吸着によって保持し且つ冷却しながらプラズマ処理するプラズマ処理装置において、第1電極3の上面3gを、シリコンウェハ6の外形位置P1よりも所定幅だけ内側の境界線P2から内側に設けられ導電体が上面に露呈した上面中央部Aと、この上面中央部Aを環状に取り囲んで設けられ導電体が絶縁被覆層3fによって覆われた上面外周部Bで構成する。これにより、シリコンウェハ6を直接導電体に接触させて、十分な静電保持力で保持するとともにシリコンウェハ6から第1電極3への伝熱による冷却効率を向上させることができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
表面に絶縁層を有する基板を処理室内に収容してこの基板の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、導電体で形成され且つこの基板の外形よりも大形の上面を有する電極と、この電極を冷却する冷却手段と、前記基板を前記電極の上面に静電吸着によって保持するために前記電極に直流電圧を印加する直流電源部と、前記処理室内を減圧する減圧手段と、前記処理室内にプラズマ発生用のガスを供給するプラズマ発生用ガス供給部と、前記電極に高周波電圧を印加して前記処理室内にプラズマを発生させる高周波電源部を備え、前記電極の上面は、前記基板の外形位置よりも所定幅だけ内側の境界線から内側に設けられ導電体が上面に露呈した上面中央部と、この上面中央部を環状に取り囲んで設けられ導電体が絶縁被覆層によって覆われた上面外周部とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L21/3065 ,  H05H1/46
FI (2件)：
H01L21/302 101G ,  H05H1/46 A
Fターム (6件)：
5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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