特許
J-GLOBAL ID:200903078642981778
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-206823
公開番号(公開出願番号):特開2004-055585
出願日: 2002年07月16日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】直流放電等の異常放電を抑制しつつ、静電吸着のための直流電圧が印加される電極上に誘電体膜が存在する場合に生じる不都合を解消することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】誘電性の被処理基板Gをプラズマ処理するプラズマ処理装置は、被処理基板Gを直接載置する電極4と、電極4上の被処理基板Gの周縁を電極4に向かう方向に押圧する押圧機構7と、被処理基板Gの周辺に処理ガスを供給する処理ガス供給機構19と、被処理基板Gの周辺に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段26と、電極4に接続され、電極4に直流電圧を印加する直流電源6とを具備し、押圧機構7が電極4上の基板Gの周縁を押圧し、その状態で電極4に直流電圧を印加して被処理基板Gを吸着する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
誘電性の被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
被処理基板を直接載置する電極と、
前記電極上の被処理基板の周縁を前記電極に向かう方向に押圧する押圧機構と、
被処理基板の付近に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
被処理基板の付近に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記電極に接続され、前記電極に直流電圧を印加する直流電源と
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H01L21/3065
, H01L21/205
, H05H1/46
FI (3件):
H01L21/302 101B
, H01L21/205
, H05H1/46 A
Fターム (24件):
4K030CA06
, 4K030CA12
, 4K030FA03
, 4K030GA02
, 4K030JA01
, 4K030KA17
, 4K030KA30
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB22
, 5F004BD01
, 5F004BD03
, 5F004BD04
, 5F045AA08
, 5F045AF07
, 5F045DP03
, 5F045EF05
, 5F045EH04
, 5F045EH05
, 5F045EH14
, 5F045EM05
, 5F045EM09
, 5F045EN04
引用特許: