プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び製品の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池田憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-435508
公開番号（公開出願番号）：特開2005-196994
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】供給されたマイクロ波が不所望の放電によって浪費されてパワーが損失するのを抑止する。【解決手段】ガスを放出する複数の放出孔5を持つシャワープレート6とマイクロ波アンテナとシャワープレート6およびマイクロ波アンテナの間に介設されたカバープレート8とを備えたプラズマ処理装置において、カバープレート8の比誘電率が8、シャワープレート6の比誘電率が9.8であり、比誘電率が1である空間10を介した比誘電率の変化率が少なくなったため、空間10内でのマイクロ波電界強度が減少したことと、さらに突起物11を円柱形状にしたことで空間10内での凸部の誘電体の角が無くなり局所的な電界集中が抑えられたことにより、空間10内での異常放電が抑えられ、マイクロ波を効率良く処理室2へ導入することが可能となった。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガスを放出する複数の放出孔を持つシャワープレートとマイクロ波アンテナと前記シャワープレートおよび前記マイクロ波アンテナの間に介設されたカバープレートとを備えたプラズマ処理装置において、前記カバープレートの材料として前記シャワープレートの材料よりも比誘電率の小さい材料を含むことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/31

FI (5件)：

H05H1/46 B , C23C16/505 , H01L21/304 645C , H01L21/31 C , H01L21/302 101D

Fターム (18件)：

4K030EA05 , 4K030FA01 , 4K030KA15 , 4K030KA17 , 4K030KA46 , 5F004AA16 , 5F004BA06 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045BB08 , 5F045EF05 , 5F045EH02

引用特許：

出願人引用 (1件)

プラズマ処理装置および半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-094273 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (6件)

プラズマ処理装置および半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-094273 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-303464 出願人：東京エレクトロン株式会社
シャワープレート、シャワープレート周辺構造及びプロセス装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-097978 出願人：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所

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