特許
J-GLOBAL ID：200903069480999830
不揮発性半導体記憶装置、その製造方法、その書き込み方法、その読み出し方法、記録媒体並びに半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-108123
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008325
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 電荷捕獲量の調節を容易且つ確実に行い、情報ばけ等の不都合の発生を防止して所望の多値情報を記憶する。【解決手段】 ソース領域3-ドレイン領域4間のチャネル領域Cとゲート電極6との間に、ゲート酸化膜11、シリコン窒化膜12、シリコン酸化膜13、シリコン窒化膜14、シリコン酸化膜15、シリコン窒化膜16及びシリコン酸化膜17が順次積層されてなる電荷捕獲膜5が配されて半導体記憶装置が構成される。ここで、各窒化膜12,14,16とその下層の各酸化膜11,13,15,17との間に存するトラップに電荷を蓄積することで、4値(”00”,”01”,”10”,”11”)の情報が記憶される。
請求項（抜粋）：
不揮発性のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルは、一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された反対導電型の1対のソース/ドレイン領域と、前記1対のソース/ドレイン領域の間のチャネル領域上に形成された電荷捕獲膜と、前記電荷捕獲膜上に形成されたコントロール電極として機能するゲート電極とを備え、前記電荷捕獲膜は、少なくとも4層の絶縁膜とそれぞれ3層の電荷蓄積層とが交互に積層された多層構造を有し、前記少なくとも4層の絶縁膜のうち最下層の絶縁膜はゲート絶縁膜として形成されており、前記少なくとも3層の電荷蓄積層の各々における電荷の捕獲状態に対応したそれぞれ異なる複数のしきい電圧が設定され、前記複数のしきい電圧に応じて少なくとも4種類の記憶状態が規定されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/04
, G11C 16/02
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 621 Z
, G11C 17/00 641
, H01L 27/10 434
