半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033650
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229086
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】エレクトロマイグレーション耐性の高いAl配線を実現すること。【解決手段】Al配線2内にAlに対して拡散障壁となるCuからなる拡散障壁層5を形成し、Al配線2をBlechの臨界長以下の長さの微細Al配線に分断する。

請求項（抜粋）：

第1物質を主成分とする配線を備えた半導体装置であって、前記配線は、前記第1物質に対して拡散障壁となる、第2物質からなる電流が流れる拡散障壁層を有し、かつこの拡散障壁層によって前記配線がBlechの臨界長以下の長さの微細配線に分断されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/28 301 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

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