特許
J-GLOBAL ID：200903017103163434

機械的変形量検出センサ

発明者：
宮島 久和

宮島 久和 について

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荒川 雅夫

荒川 雅夫 について

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薮田 明

薮田 明 について

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阪井 淳

阪井 淳 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-045978
公開番号（公開出願番号）：特開2007-139799
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】高感度な機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサを提供するにある。【解決手段】センサ構造体1はシリコン基板よりなり、裏面側の一部を異方性エッチングして薄肉の受圧部たるダイヤフラム2を有する凹部3を形成している。ガラス製の台座4は凹部3に流体圧力を導入するための圧力導入孔5を設け、センサ構造体1の裏面に接合されている。ダイヤフラム2の両側の周縁部の中央に対応する位置には、ダイヤフラム2の周囲のセンサ構造体1の表面に跨るようにカーボンナノチューブ抵抗素子61,62を設けている。これらカーボンナノチューブ抵抗素子61,62とともに、検出信号取り出し用のブリッジ回路を組む基準用抵抗素子63,64をダイヤフラム2の周囲のセンサ構造体1表面上に配置固定している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板または絶縁基板により形成され、検出対象とする物理量が当該構造体に加わったときにその物理量に起因して変形する変形部と当該変形部を支持する支持部を一体に有したセンサ構造体と、前記変形部の変形に共動して機械的に変形するように前記変形部に配置されたカーボンナノチューブ抵抗素子と、前記センサ構造体上にパターン形成され前記カーボンナノチューブ抵抗素子に接続された配線パターンを備え、 前記配線パターンを介して前記カーボンナノチューブ抵抗素子に電圧印加することにより、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の機械的変形に伴う導電率変化を電気信号として取り出すことを特徴とする機械的変形量検出センサ。
IPC (3件)：
G01L 1/18 ,  G01L 9/04 ,  G01P 15/12
FI (3件)：
G01L1/18 Z ,  G01L9/04 ,  G01P15/12 Z
Fターム (7件)：
2F055CC02 ,  2F055DD04 ,  2F055DD19 ,  2F055EE11 ,  2F055FF11 ,  2F055GG01 ,  2F055GG16
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (12件)
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