特許
J-GLOBAL ID：200903017128715750

半導体評価方法および半導体評価装置

発明者：
渡 辺 浩 志

渡 辺 浩 志 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-291522
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100830
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 基板表面の不純物濃度の分布を精度よく測定可能な半導体評価方法および半導体評価装置を提供する。【解決手段】 半導体評価装置は、初期特性測定部1と、膜厚逆抽出部2と、MOS特性測定部3と、表面濃度決定部4とを備えている。まずゲート電圧を1V程度に設定して、絶縁膜厚を調節しながらゲート電流(ゲート容量)の計算結果と測定結果とをフィッティングさせて絶縁膜厚を逆抽出し、次に、ゲート電圧が-1V〜0Vの範囲内で、第2導電膜の表面不純物濃度を調節しながらJ-V特性またはC-V特性の計算結果と測定結果とをフィッティングさせて表面不純物濃度を逆抽出するため、絶縁膜の下部の第2導電膜の表面不純物濃度を精度よく予測できる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜の上面に第1導電膜が形成され前記絶縁膜の下面に第2導電膜が形成された半導体装置の電気的特性を評価する半導体評価方法であって、前記絶縁膜の電圧の変動幅が所定電圧以下になる電圧範囲内の電圧を前記第1導電膜に印加したときに、前記絶縁膜を介して前記第1および第2導電膜間を流れる電流と前記第1および第2導電膜間の容量との少なくとも一方を測定するステップと、前記測定された電流と容量との少なくとも一方に基づいて、前記第2導電膜の表面不純物濃度を決定することを特徴とするステップと、を備えることを特徴とする半導体評価方法。
FI (2件)：
H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 Z
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106AB02 ,  4M106CA01 ,  4M106CA12 ,  4M106CA48 ,  4M106CB01 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)

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