特許
J-GLOBAL ID：200903017158875522

フォトマスク、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
石渡 直行

石渡 直行 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031676
公開番号（公開出願番号）：特開2006-220725
出願日： 2005年02月08日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】 チップ領域外に存在するパターンのウェハ上への転写を防止可能なフォトマスクを提供する。【解決手段】 遮光層13が除去され、且つ、回路パターン20aに応じた開口がなされた位相シフト層12が露出したチップ領域20の周囲に、遮光層13のみが開口され、その開口部に位相シフト層12が露出した非回路パターン(例えばマスクパターンの位置精度測定用のモニタパターン30)を有したことにより、フレアの影響でこの非回路パターンがウェハに転写されることが防止される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に露光光の位相をシフトさせる位相シフト層と、遮光層とが順に積層され、所望のパターン形状の開口により、半導体チップに転写するチップ領域には回路パターン、前記チップ領域外には非回路パターンが形成されたフォトマスクにおいて、 前記チップ領域では、前記遮光層が除去され、且つ、前記回路パターンに応じた開口がなされた前記位相シフト層が露出しており、 前記チップ領域の周囲に、前記遮光層のみが開口され、その開口部に前記位相シフト層が露出した非回路パターンを有したことを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P
Fターム (4件)：
2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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