半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036364
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247545
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】高い電流増幅率hFEを有する高耐圧半導体装置を提供する。【解決手段】N-型エピタキシャル領域20から構成されるコレクタ領域と、該コレクタ領域上に形成されるP型ベース領域30と、該P型ベース領域30上に形成されるN+型エミッタ領域40とを有し、P型ベース領域30内に空乏層が形成されない時の、P型ベース領域30内のフリーキャリア濃度が、P型ベース領域30に空乏層が形成される時の、該空乏層内の空間電荷濃度よりも小さい構成。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基体中に少なくとも、第1導電型のコレクタ領域と、該コレクタ領域上に形成される第2導電型のベース領域と、該ベース領域上に形成される第1導電型のエミッタ領域と、を有する半導体装置において、前記ベース領域内に空乏層が形成されない時の、前記ベース領域内のフリーキャリア濃度が、前記ベース領域に空乏層が形成される時の、該空乏層内の空間電荷濃度よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/331 , H01L21/265 , H01L29/732 , H01L29/74

FI (3件)：

H01L29/72 P , H01L29/74 G , H01L21/265 F

Fターム (22件)：

5F003AP06 , 5F003BA91 , 5F003BB01 , 5F003BB02 , 5F003BB04 , 5F003BB05 , 5F003BB06 , 5F003BC01 , 5F003BC08 , 5F003BF03 , 5F003BM01 , 5F003BM02 , 5F003BP23 , 5F003BP24 , 5F003BP31 , 5F003BP41 , 5F003BZ04 , 5F005AC01 , 5F005AD02 , 5F005AE07 , 5F005AH02 , 5F005CA05

引用特許：

審査官引用 (8件)

特表平7-501181
炭化珪素半導体素子とその製造法及び用途
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-094770 出願人：株式会社日立製作所
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-113833 出願人：株式会社デンソー

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