特許
J-GLOBAL ID：200903019924279905

電子デバイス用基板およびその製造方法

発明者：
矢野 義彦

矢野 義彦 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343895
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162852
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 AlN、GaN、InN等の窒化物バルク単結晶ウエハと同等の特性を有し、かつ電子デバイスの製造に適用可能な大面積の基板を提供する。【解決手段】 Al、GaおよびInから選択される少なくとも1種とNとを主成分とし、ウルツァイト型構造を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、前記窒化物結晶の(0001)面が、前記窒化物薄膜表面に平行となるように単一配向しており、面積が10cm2以上である電子デバイス用基板。この電子デバイス用基板は、表面がSi単結晶から構成される支持基板の表面に、希土類元素の酸化物および/または酸化ジルコニウムから構成されるエピタキシャル膜であるバッファ層を形成し、このバッファ層表面に前記窒化物薄膜を成長させた後、支持基板の少なくとも一部または支持基板とバッファ層との少なくとも一部を除去することにより製造される。
請求項（抜粋）：
Al、GaおよびInから選択される少なくとも1種とNとを主成分とし、ウルツァイト型構造を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、前記窒化物結晶の(0001)面が、前記窒化物薄膜表面に平行となるように単一配向しており、面積が10cm2以上である電子デバイス用基板。
IPC (4件)：
H01L 21/203 ,  C30B 29/38 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25
FI (5件)：
H01L 21/203 S ,  C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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