イオンビーム装置およびイオンビーム加工方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂上正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-254879
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095339
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】二次粒子の再付着層が形成されても断面観察への影響がほとんどないイオンビーム装置を提供する。【解決手段】特定部位に液体金属イオンビーム照射装置1からの集束イオンビームが照射されて断面が形成された試料6のその断面を含む所定の範囲の領域に、ガス銃3からガスを吹き付けるとともに気体イオンビーム照射装置7からの気体イオンビームを一様に照射して所定の材料よりなるデポジション膜を形成するデポジション機能と、上記デポジション膜の上記断面上の部分を上記集束イオンビームにより除去する第1のエッチング機能と、上記所定の範囲の領域のうちの少なくとも上記断面を含む領域に上記気体イオンビームを照射して、上記所定の集束イオンビームの照射によって形成された、上記断面上のダメージ層を除去する第2のエッチング機能とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

特定部位に所定の集束イオンビームが照射されて断面が形成された試料の、前記断面を含む所定の範囲の領域に所定の材料よりなるデポジション膜を形成するデポジション手段と、前記デポジション膜の前記断面上の部分を前記所定の集束イオンビームにより除去する第1のエッチング手段と、前記所定の範囲の領域のうちの少なくとも前記断面を含む領域に気体イオンビームを照射して、前記所定の集束イオンビームの照射によって形成された、前記断面上のダメージ層を除去する第2のエッチング手段とを有することを特徴とするイオンビーム加工装置。

IPC (1件)：

H01J37/305

FI (1件)：

H01J37/305 A

Fターム (2件)：

5C034BB06 , 5C034BB09

引用特許：

審査官引用 (5件)

電子顕微鏡用試料作製装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-063007 出願人：株式会社日立製作所
集束イオンビーム装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-041560 出願人：セイコー電子工業株式会社
試料加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-300322 出願人：セイコー電子工業株式会社

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