特許
J-GLOBAL ID：200903065103087295

透過型電子顕微鏡の試料作製方法

発明者：
鈴木 直久

鈴木 直久 について


出願人/特許権者：
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020495
公開番号（公開出願番号）：特開2002-228562
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：
【要約】【課題】TEM観察に用いる薄膜部の厚さが極めて薄くても試料本来の構造を示す明確なTEM像が得られるTEM試料の作製方法を提供する。【解決手段】本発明のTEM試料の作製方法は、FIBのダメージを受けてTEM観察に用いる薄膜部の側面に形成される非晶質層の厚さを削減するためにFIBの加速電圧を低くすることを主な特徴とする。すなわち、高い加速電圧を用いたFIB加工と低い加速電圧を用いたFIB仕上げ加工とを組み合わせることにより、高い加速電圧のFIB加工で薄膜部の側面上に形成された厚い非晶質層を低い加速電圧のFIB仕上げ加工で薄くすれば、微細化された半導体装置の製造工程の評価に適した分解能の高いTEM像を得ることができる。
請求項（抜粋）：
長手方向に伸びた試料上面領域を残してその両側を一定の深さまで除去する第1の加速電圧を用いた第1のフォーカスド・イオンビーム加工と、前記第1のフォーカスド・イオンビーム加工により前記試料上面領域の両側に形成された側面に沿って前記試料上面領域の両側をさらに除去する前記第1の加速電圧より低い第2の加速電圧を用いた第2のフォーカスド・イオンビーム加工と、を含むことを特徴とする透過型電子顕微鏡の試料作製方法。
IPC (6件)：
G01N 1/32 ,  G01N 1/28 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/66 ,  G01N 23/04
FI (6件)：
G01N 1/32 B ,  H01J 37/20 Z ,  H01J 37/30 A ,  H01L 21/66 J ,  G01N 23/04 ,  G01N 1/28 G
Fターム (21件)：
2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001BA06 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001GA09 ,  2G001LA11 ,  2G001RA02 ,  2G001RA04 ,  2G001RA20 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB18 ,  4M106DH55 ,  5C001BB07 ,  5C001CC01 ,  5C034AA01 ,  5C034AA02 ,  5C034AB01 ,  5C034AB02 ,  5C034AB04
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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