特許

J-GLOBAL ID：200903017255764085

位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクと、位相シフトマスク、及びパターン転写方法

発明者： 文木 英史 ,  吉田 浩和
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-064965
公開番号（公開出願番号）：特開2003-262946
出願日： 2002年03月11日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造工程の洗浄工程において、パターンの欠陥の原因となるパーティクルを発生となる遮光層の端縁部が庇状の現象を回避する位相シフト、又はハーフトーン型位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク、パターン転写方法。【解決手段】透明基板の上表面の全面に、位相シフト層と、遮光層を、順次積層し形成の位相シフトマスクブランクが、該遮光層の端縁部が前記位相シフト層の端縁部を被覆しないこと、前記遮光層の端縁部が、前記透明基板の上表面の外周端部より内側の位置に形成する構造の位相シフトマスクブランクである。又ハーフトーン型位相シフトマスクブランクも前記同様の構造であり、前記ブランクを用いた位相シフトマスク、その位相シフトマスクを介して、レジスト層にマスクパターンを転写する転写方法である。

請求項（抜粋）：

透明基板の上表面の全面に、位相シフト層と、遮光層を、順次積層し形成してなる位相シフトマスクブランクにおいて、該遮光層の端縁部が前記位相シフト層の端縁部を被覆しないことを特徴とする位相シフトマスクブランク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (1件)：

2H095BB03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ハーフトーン型位相シフトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068550   出願人：ホーヤ株式会社
• ハーフトーン型位相シフトフオトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-323346   出願人：大日本印刷株式会社
• セラミックパッケージの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229032   出願人：富士通株式会社, 株式会社富士通東北エレクトロニクス
• 配線パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162390   出願人：住友金属工業株式会社