ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-277528
公開番号（公開出願番号）：特開2007-086606
出願日： 2005年09月26日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、アウトガス低減を同時に満足するポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)少なくとも2つの酸分解性基と、芳香環と、アルキレン鎖またはシクロアルキレン鎖とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する分子量2000以下の化合物及び(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する特定構造の化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)少なくとも2つの酸分解性基と、芳香環と、アルキレン鎖またはシクロアルキレン鎖とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する分子量2000以下の化合物及び (B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する下記一般式(B-I)で表される化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 503A , H01L21/30 502R

Fターム (14件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA12

引用特許：

出願人引用 (7件)

パターン形成材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237462 出願人：松下電器産業株式会社
化学増幅型新規低分子系レジスト材料を用いるパターン形成
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-112082 出願人：城田靖彦
新規有機化合物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-284316 出願人：財団法人大阪産業振興機構

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