半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：江上達夫 , 中村聡延
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-142619
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327813
出願日： 2004年05月12日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】半導体装置等を製造する際、コンタクトホール内における断線不良を防止する。【解決手段】基板上に複数の導電層を形成する工程と、複数の層間絶縁層を夫々形成する工程と、複数の層間絶縁層のうち下部層間絶縁層41及び上部層間絶縁層42について、上部層間絶縁層を貫通して下部層間絶縁層内に至る第1の穴185aを、少なくとも第1の穴内における上部層間絶縁層と下部層間絶縁層との界面に位置する側壁の一部をドライエッチング法により形成して開孔する工程と、少なくとも前述の界面を覆う保護膜800bを形成する工程と、保護膜が形成された第1の穴186を介して下部層間絶縁層を貫通する第2の穴185bをエッチング法を用いて開孔してコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホールを介して下部導電層及び上部導電層を相互に電気的に接続する工程とを備える。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

基板上に、複数の導電層を形成する工程と、前記複数の導電層のうち、前記基板上において相対的に下層側に形成された下部導電層及び相対的に上層側に形成された上部導電層間を層間絶縁するように、複数の層間絶縁層を夫々形成する工程と、前記複数の層間絶縁層のうち、相対的に下層側に形成された下部層間絶縁層及び相対的に上層側に形成された上部層間絶縁層について、前記上部層間絶縁層を貫通して前記下部層間絶縁層内に至る第1の穴を、少なくとも前記第1の穴内における前記上部層間絶縁層と前記下部層間絶縁層との界面に位置する側壁の一部をドライエッチング法により形成して開孔する工程と、前記側壁のうち少なくとも前記界面に位置する一部を覆う保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された前記第1の穴を介して前記下部層間絶縁層を貫通する第2の穴をエッチング法を用いて開孔して、前記下部層間絶縁層より下層に位置する前記下部導電層の表面に至るコンタクトホールを形成する工程と、前記形成されたコンタクトホールを介して前記下部導電層及び前記上部導電層を相互に電気的に接続する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/768 , G02F1/1343 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (6件)：

H01L21/90 A , G02F1/1343 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L29/78 616J , H01L29/78 627C

Fターム (104件)：

2H092GA29 , 2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA46 , 2H092JB52 , 2H092JB54 , 2H092JB56 , 2H092JB63 , 2H092JB64 , 2H092JB65 , 2H092JB66 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA21 , 2H092KB01 , 2H092KB11 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA15 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092NA15 , 2H092PA01 , 2H092RA05 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH38 , 5F033JJ04 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ32 , 5F033JJ38 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033LL01 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033NN32 , 5F033NN38 , 5F033NN40 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ22 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR15 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033SS04 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033TT07 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX02 , 5F033XX09 , 5F033XX32 , 5F110AA26 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110HL03 , 5F110HL08 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN42 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN55 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

電気光学装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-294325 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-233342 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-275079 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-003418

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