半導体素子の製造方法及び半導体素子

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：杉村興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090658
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289538
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】半導体素子中における半導体単結晶の転位密度を低減することが可能な新規な製造方法を提供する。【解決手段】所定の単結晶基板の平坦な主面上において、前記基板を加工することにより単数又は複数の平坦でない構造を形成した後に、前記加工を施した単結晶基板上に半導体層を順次形成して、所定の半導体素子を製造する。

請求項（抜粋）：

所定の単結晶基板の平坦な主面上において、前記基板を加工することにより単数又は複数の平坦でない構造を形成した後に、前記加工を施した単結晶基板上に半導体層を順次形成して、所定の半導体素子を製造することを特徴とする、半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 21/20

Fターム (32件)：

4K030AA11 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030DA04 , 4K030DA05 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045HA03 , 5F052DA04 , 5F052DB10 , 5F052FA13 , 5F052GC01 , 5F052GC03 , 5F052GC06 , 5F052JA10

引用特許：

審査官引用 (9件)

トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-553988 出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
窒化物半導体構造とその製法および発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-216110 出願人：シャープ株式会社
半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-133844 出願人：松下電子工業株式会社

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