特許
J-GLOBAL ID：200903017468600345

半導体装置

発明者：
山下 征大

山下 征大 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-035892
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247520
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】MIM容量の容量を規定する上部電極用金属膜パターンを精度よく形成し、容量値のバラツキを抑え、高精度なMIM容量素子を提供する。【解決手段】MIM容量素子は下部電極用金属膜3-誘電体膜4-上部電極用金属膜パターン5A,5Bからなる。MIM容量素子は、主MIM容量素子部とその周囲に配置されたダミーMIM素子部で構成される。ダミーMIM素子部の上部電極用金属膜パターン5Bを主MIM容量素子部の上部電極用金属膜パターン5Aの端部から一定の距離を保つように配置し、ダミーMIM素子部の上部電極用金属膜パターン5Bは、主MIM容量素子部の下部電極用金属膜3と電気的に接続されるように構成する。これにより、主MIM容量素子部を構成する上部電極用金属膜3の加工寸法精度が向上し、MIM容量の容量値のばらつきを抑えられるとともに、ダミーMIM素子部による寄生浮遊容量を低減できる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に所定のパターンで形成された下部電極用金属膜-誘電体膜-上部電極用金属膜の3層からなるMIM容量素子を有する半導体装置であって、 前記MIM容量素子は、容量素子として機能させる主MIM容量素子部と、前記主MIM容量素子部の周りに配置されて容量素子としては機能させないダミーMIM素子部とにパターン上で領域が分かれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (1件)：
H01L27/04 C
Fターム (10件)：
5F038AC02 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038CA05 ,  5F038CA09 ,  5F038CA18 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開昭60-060751
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-353591   出願人：川崎製鉄株式会社
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-252365   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
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