特許
J-GLOBAL ID：200903017530369990

ウェーハエッジ研磨方法

発明者：
田中 弘明

田中 弘明 について

, 
小川 佳久

小川 佳久 について

, 
吉田 明利

吉田 明利 について


出願人/特許権者：
田中 弘明

田中 弘明 について


代理人 (1件)： 田中 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-331157
公開番号（公開出願番号）：特開2000-158329
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：
【要約】【目的】本発明は、シリコンウェーハあるいは化合物ウェーハ等よりなる半導体基板のエッジ部の研磨加工を行なう研磨剤を用いた研磨加工方法に関する。更に詳しくは、緩衝作用を有し、かつ導電率の大きい研磨用組成物を用いたエッジ部の研磨方法に係わる。【構成】酸化珪素粒子を含むコロイド状溶液よりなる研磨用組成物により半導体ウェーハのエッジ部分を研磨する方法であって、前記酸化珪素粒子の平均一次粒子径が8〜500nmであり、またその含有量が全液量に対して1〜25重量%であり、かつ前記コロイド溶液よりなる研磨用組成物が、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.0の弱酸及び/または弱塩基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加することによって、pH8.3〜11.5の間で緩衝作用を有する緩衝溶液として調整されたものであることを特徴とする半導体ウェーハのエッジ部分の研磨方法を提供する。
請求項（抜粋）：
酸化珪素粒子を含むコロイド状溶液よりなる研磨用組成物により半導体ウェーハのエッジ部分を研磨する方法であって、前記酸化珪素粒子の平均一次粒子径が8〜500nmであり、またその含有量が全液量に対して1〜25重量%であり、かつ前記コロイド溶液よりなる研磨用組成物が、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.0の弱酸及び/または弱塩基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加することによって、pH8.3〜11.5の間で緩衝作用を有する緩衝溶液として調整されたものであることを特徴とする半導体ウェーハのエッジ部分の研磨方法。
IPC (4件)：
B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304 622
FI (4件)：
B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/304 622 D
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (7件)
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