特許
J-GLOBAL ID：200903074003025054
半導体シリコン基板の面取り部研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-247235
公開番号（公開出願番号）：特開平8-085051
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 裏面に酸化シリコン層を有する半導体シリコン基板において、前記酸化シリコン層のエッジレリーフと面取り部の鏡面研磨とを同時に実施できるようにする。【構成】 研磨装置に取り付けられて回転するバフ2の軸心に対して半導体シリコン基板1を所定の面取り角θだけ傾けて回転させつつバフ2に押しつけ、一側の面取り部を鏡面研磨した後、前記基板1を反転させて他側の面取り部を鏡面研磨する。使用する研磨液は、コロイダルシリカの平均粒子径を50〜150nm、pHを10〜11、20°Cにおける比重を1〜1.5、濃度を30〜50wt%とし、砥粒の径と数を増すことにより、化学的研磨よりも機械的研磨を主体とする。これにより、従来から困難とされていた酸化シリコン層のエッジ部分の除去が可能となる。バフの外周に前記基板の面取り部形状と一致する溝を設け、この溝に前記基板を押し付けて両面を同時に研磨してもよい。
請求項（抜粋）：
酸化シリコン層および/またはエクストリンシックゲッタリング層を有する半導体シリコン基板周縁の面取り部を鏡面研磨する半導体シリコン基板の面取り部研磨において、半導体シリコン基板をバフとを回転させつつ前記シリコン基板の周縁部をバフに押し付け、研磨部分にコロイダルシリカを含む研磨液を供給しつつ前記面取り部を鏡面研磨することを特徴とする半導体シリコン基板の面取り部研磨方法。
IPC (5件)：
B24B 9/00
, B24B 1/00
, B24B 37/00
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
