特許
J-GLOBAL ID：200903017573113328

電界効果トランジスタ

発明者：
増田 哲

増田 哲 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-217254
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054632
出願日： 2007年08月23日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】 歩留まりの低下を抑制し、かつ良好な高周波特性を維持することが可能な電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 活性領域と交差するように、少なくとも2つのドレインオーミック接触部が配置されている。ドレインオーミック接触部の間に、ソースオーミック接触部が配置されている。素子分離領域上のドレイン連結部が、ドレインオーミック接触部の同じ側の端部同士を接続する。ドレインオーミック接触部とソースオーミック接触部との間に、ゲートフィンガが配置されている。素子分離領域上のゲート給電配線が、ゲートフィンガ同士を、ドレイ連結部が配置された側とは反対側の端部において接続する。ゲート先端連結部が、ソースオーミック接触部を挟んで隣り合う2つのゲートフィンガ同士を、ドレイン連結部が配置された側の端部において接続する。ゲート先端連結部は、ドレイオーミック接触部及びドレイン連結部のいずれとも交差しない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表層部に、活性領域と、該活性領域を取り囲む素子分離領域とが画定された半導体基板と、 前記半導体基板の上に、該活性領域と交差するように配置された少なくとも2つのドレインオーミック接触部と、 相互に隣り合う2つのドレインオーミック接触部の間の前記半導体基板上に、前記活性領域と交差するように配置されたソースオーミック接触部と、 前記半導体基板の前記素子分離領域上に配置され、前記ドレインオーミック接触部の同じ側の端部同士を接続するドレイン連結部と、 前記ドレインオーミック接触部とソースオーミック接触部との間の各領域の前記半導体基板上に、前記活性領域と交差するように配置されたゲートフィンガと、 前記半導体基板の素子分離領域上に配置され、前記ゲートフィンガ同士を、前記ドレイ連結部が配置された側とは反対側の端部において接続し、該ゲートフィンガにゲート電圧を供給するゲート給電配線と、 前記ソースオーミック接触部を挟んで隣り合う2つのゲートフィンガ同士を、前記ドレイン連結部が配置された側の端部において接続するとともに、前記ドレイオーミック接触部及びドレイン連結部のいずれとも交差しないように配置されたゲート先端連結部と を有する電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (4件)：
H01L29/80 L ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L
Fターム (31件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB17 ,  4M104CC03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF01 ,  4M104FF17 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA02 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GS09 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-305727   出願人：富士通株式会社
  • マイクロ波スイッチ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-086589   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (6件)
  • 特開平4-302149
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373612   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-115555
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