特許
J-GLOBAL ID：200903017594044008

光起電力素子及びその製造方法

発明者：
下田 寛嗣

下田 寛嗣 について

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田村 秀男

田村 秀男 について

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岡部 正太郎

岡部 正太郎 について

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金井 正博

金井 正博 について

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高井 康好

高井 康好 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-337030
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156317
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 光起電力素子のシャントや外観不良等の課題を解決することにより、良好な特性及び高い歩留りを有する薄膜太陽電池を形成することができる光起電力素子の構成及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板101上に、少なくとも半導体層102および透明電極層103が順に積層形成された光起電力素子であって、透明電極層103の半導体層102と接する側の領域の比抵抗が他の領域の比抵抗よりも低い。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも半導体層および透明電極層が順に積層形成された光起電力素子において、上記透明電極層の半導体層と接する側の領域の比抵抗が他の領域の比抵抗よりも低いことを特徴とする光起電力素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 B
Fターム (8件)：
5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA15 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA19 ,  5F051GA02
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (11件)
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