特許
J-GLOBAL ID：200903052444090923
光起電力素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343700
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233802
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 大面積にわたる光起電力素子のピンホール等の欠陥部の存在に起因する漏れ電流を減少させ、低照度における起電圧特性に優れた光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板201上に少なくとも第一の電極層202、半導体層203、第二の電極層204が形成された光起電力素子200を電解液207中に浸漬し、電界の作用で該光起電力素子の欠陥205による短絡電流通路を除去する工程を有する光起電力素子の製造方法において、前記電解液中の第一の成分の量と第二の成分の量を調整して電解液207の水素イオン濃度を調整し、第一の成分により第二の電極層204の構成物質を電気的に溶解する光起電力素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも第一の電極層、半導体層、第二の電極層が形成された光起電力素子を電解液中に浸漬し、電界の作用で該光起電力素子の欠陥による短絡電流通路を除去する工程を有する光起電力素子の製造方法において、前記電解液中の第一の成分の量と第二の成分の量を調整して該電解液の水素イオン濃度を調整し、該第一の成分により前記第二の電極層の構成物質を電気的に溶解することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
引用特許：
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