半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-354252
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183151
出願日： 1998年12月14日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】トレンチ分離型半導体装置のハンプ電流を低減するとともに、ゲート酸化膜の信頼性を向上させる。【解決手段】シリコン基板の表面に厚さt[nm]のシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコン酸化膜上に耐酸化性マスクとして機能するシリコン窒化膜を形成する工程と、シリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜をパターニングし、シリコン基板のうちシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜によって覆われていない領域にトレンチを形成する工程と、シリコン酸化膜のエッジを選択的にエッチングし、それによってシリコン酸化膜のエッジをエッチング前に比較して距離d[nm]だけ横方向に後退させる工程と、シリコン基板の露出表面上に厚さs[nm]の熱酸化膜を形成する工程とを包含し、s≧2tの関係、および1.3d≧s≧0.7dの関係を満足させる。トレンチ上部コーナーの形状もしくは曲率半径を改善することによってコーナー部の電界集中とゲート酸化膜の曲所薄膜化を緩和する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面に厚さt[nm]のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上に耐酸化性マスクとして機能するシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜をパターニングし、前記シリコン基板のうち前記シリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜によって覆われていない領域にトレンチを形成する工程と、前記シリコン酸化膜のエッジを選択的にエッチングし、それによって前記シリコン酸化膜のエッジをエッチング前に比較して距離d[nm]だけ横方向に後退させる工程と、前記シリコン基板の露出表面上に厚さs[nm]の熱酸化膜を形成する工程と、を包含し、s≧2tの関係、および1.3d≧s≧0.7dの関係が満足されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 21/3065 , H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/316 M , H01L 21/316 S , H01L 21/302 C , H01L 29/78 301 R

Fターム (42件)：

5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EA28 , 5F004EB04 , 5F004FA08 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032BA01 , 5F032BA05 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA23 , 5F032DA26 , 5F032DA53 , 5F032DA78 , 5F040DA06 , 5F040DA19 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040EK05 , 5F040EM06 , 5F040FC09 , 5F040FC10 , 5F040FC23 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BE03 , 5F058BE10 , 5F058BF29 , 5F058BF34 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF63 , 5F058BF68 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-033597 出願人：株式会社日立製作所
トレンチ絶縁分離型半導体装置の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-287549 出願人：ソニー株式会社
特開平4-127572

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