特許
J-GLOBAL ID：200903017678379684
窒化アルミニウム質配線基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295233
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135900
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】絶縁基体として放熱性に優れた窒化アルミニウム(AlN)セラミックスと同時焼成可能なメタライズ組成物から成るメタライズ金属層を、電気的な要求特性を満足する低抵抗の配線導体として一体化した窒化アルミニウム質配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】銅(Cu)とタングステン(W)又はモリブデン(Mo)から成る主成分に対して、活性金属のニッケル(Ni)及び/又はチタン(Ti)を外部添加したメタライズ組成物を窒化アルミニウム(AlN)セラミックスと同時焼成して得られる低抵抗のメタライズ金属層を配線導体とする窒化アルミニウム質配線基板で、窒化アルミニウム(AlN)セラミックスと前記メタライズ組成物を1550〜1900°Cの温度で同時焼成して低抵抗の配線導体を有する配線基板を形成する。
請求項（抜粋）：
銅(Cu)が30〜90体積%とタングステン(W)又はモリブデン(Mo)が10〜70体積%から成る主成分に対して、ニッケル(Ni)及び/又はチタン(Ti)を0.1〜10体積%の割合で外部添加したメタライズ組成物を窒化アルミニウム(AlN)セラミックスと同時焼成して得られるメタライズ金属層を配線導体とし、該配線導体の導体抵抗が8.0mΩ/□以下であることを特徴とする窒化アルミニウム質配線基板。
IPC (3件)：
H05K 1/03 610
, C04B 35/581
, H05K 3/12 610
H05K 1/03 610 E
, H05K 3/12 610 M
, C04B 35/58 104 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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