特許

J-GLOBAL ID：200903017686903759

層間絶縁膜のドライエッチング方法

発明者： 森川 泰宏 ,  林 俊雄 ,  鄒 紅コウ
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (2件)： 東田 潔 ,  山下 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-288169
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057141
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】 第1高周波電源を介して主放電用の電力を供給し、第2高周波電源を介して主放電により生成されたイオン種を基板へ入射させる基板バイアス用の電力を供給すると共に、エッチングガスを導入して層間絶縁膜をドライエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する層間絶縁膜のドライエッチング方法において、エッチング特性が変化することなく高いエッチングレートが得られ、層間絶縁膜にダメージを与えることがないようにする。【解決手段】 前記第2高周波電源の周波数を3MHzから6MHzの範囲内の所定値、好ましくは4MHzに設定して前記ドライエッチングを行う。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

第1高周波電源を介して主放電用の電力を供給し、第2高周波電源を介して主放電により生成されたイオン種を基板へ入射させる基板バイアス用の電力を供給すると共に、エッチングガスを導入して層間絶縁膜をドライエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する層間絶縁膜のドライエッチング方法において、 前記第2高周波電源の周波数を3MHzから6MHzの範囲内の所定値、好ましくは4MHzに設定して前記ドライエッチングを行うようにしたことを特徴とする層間絶縁膜のドライエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 101C

Fターム (14件)：

5F004AA03 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BC02 ,  5F004CA02 ,  5F004CA09 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00

引用特許：

出願人引用 (4件)

• エッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-305101   出願人：株式会社アルバック
• エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-117680   出願人：松下電器産業株式会社
• 低容量の誘電体層をエッチングするための技術
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-616058   出願人：ラム・リサーチ・コーポレーション
• プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-127051   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-117680   出願人：松下電器産業株式会社
• 低容量の誘電体層をエッチングするための技術
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-616058   出願人：ラム・リサーチ・コーポレーション
• プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-127051   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝