特許

J-GLOBAL ID：200903017718126482

基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法、およびこの製造方法により得られる基板

発明者： ルテルトゥル,ファブリス ,  ギスラン,ブリュノ
出願人/特許権者： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース
代理人 (1件)： 太田 恵一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-544758
公開番号（公開出願番号）：特表2004-517472
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

本発明は、基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法に関するものである。その製造方法は以下のそれぞれの工程を含むものである:接着界面に分子付着によりサポート(12)上にシード層(2)を転写し、シード層上に有効層(16)のエピタキシーを形成し、次いでシード層(2)と有効層(16)により構成された組立体を、接着界面においてサポート(12)に対して分離に導くために応力を加える。

請求項（抜粋）：

以下の工程を含むことを特徴とする、基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法: -接着界面における分子付着による、サポート(12)上のシード層(2)への転写、 -シード層上の有効層(16)のエピタキシー、および -シード層(2)と有効層(16)により構成された組立体の、接着界面におけるサポート(12)に対し分離に導く応力の印加。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (4件)：

5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041CA77 ,  5F041DA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-272286   出願人：株式会社東芝
• 薄膜半導体、太陽電池および発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-053354   出願人：ソニー株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-058024   出願人：株式会社日立製作所