特許

J-GLOBAL ID：200903017734569076

相変化メモリ装置及びそれの製造方法

発明者： 鄭 弘植 ,  梁 秀吉 ,  黄 榮南
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-047644
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244235
出願日： 2005年02月23日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】 相変化メモリ装置及びこれの製造方法が開示される。【解決手段】 相変化ランドムアクセスメモリ(PRAM)のような不揮発性メモリの例示的な単位セルはアドレスラインとデータラインに連結され、データラインから電圧の印加を受けるMOSトランジスタを含む。単位セルは、電圧によって発生される熱によって相が変わる相変化物質と実質的な接地電圧に連結された上部電極を更に含む。 【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

アドレスラインとデータラインに連結され、前記データラインから電圧の印加を受けるMOSトランジスタと、 前記電圧によって発生される熱によって相を変化させる相変化物質と、 実質的な接地電圧に連結される上部電極と、を含む不揮発性メモリの単位セル。

IPC (2件)：

H01L27/10 ,  H01L45/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-145305   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-009372   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 電気抵抗が高い相変化記録膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-103518   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 改善された接合を有する電気的にプログラム可能なメモリ素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-607287   出願人：オヴォニクスインコーポレイテッド

審査官引用 (4件)

• 改善された接合を有する電気的にプログラム可能なメモリ素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-607287   出願人：オヴォニクスインコーポレイテッド
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-145305   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-009372   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 電気抵抗が高い相変化記録膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-103518   出願人：三菱マテリアル株式会社