特許

J-GLOBAL ID：200903017782526788

半導体記憶装置

発明者： 志賀 仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-113575
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294126
出願日： 2005年04月11日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】 データ修復を可能とした半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されて多値データ記憶を行うメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出し及び書き込みを行うセンスアンプ回路と、前記メモリセルアレイのデータ読み出し及び書き込みを制御するコントローラとを有し、前記コントローラは、前記メモリセルアレイの既に下位ページデータが書かれている領域への上位ページデータの書き込みシーケンスが異常終了する際に、前記メモリセルアレイから読み出されて前記センスアンプ回路が保持する下位ページデータを待避させる機能を有する。 【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されて多値データ記憶を行うメモリセルアレイと、 前記メモリセルアレイのデータ読み出し及び書き込みを行うセンスアンプ回路と、 前記メモリセルアレイのデータ読み出し及び書き込みを制御するコントローラとを有し、 前記コントローラは、前記メモリセルアレイの既に下位ページデータが書かれている領域への上位ページデータの書き込みシーケンスが異常終了する際に、前記メモリセルアレイから読み出されて前記センスアンプ回路が保持する下位ページデータを待避させる機能を有する ことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  G11C 16/04

FI (7件)：

G11C17/00 611G ,  G11C17/00 601T ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 634G ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 601E

Fターム (10件)：

5B125BA19 ,  5B125CA11 ,  5B125DB08 ,  5B125DD02 ,  5B125EA05 ,  5B125EE04 ,  5B125EF02 ,  5B125EK07 ,  5B125FA01 ,  5B125FA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-266085   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体装置、メモリカード及びデータ処理システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-188459   出願人：株式会社日立製作所
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-266085   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置、データ処理システム及び不揮発性メモリセルの閾値変更方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-152610   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-402161   出願人：株式会社東芝