特許

J-GLOBAL ID：200903017912741376

マイクロリソグラフィ構造

発明者： ウィラード・アール・コンレイ ,  ジェームス・トーマス・ファーヘイ ,  ウェイン・マーティン・モリー ,  ラットナム・スーリヤクマラン ,  ケビン・マイケル・ウェルシュ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-322708
公開番号（公開出願番号）：特開平8-220741
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【課題】 化学増感深紫外フォトレジスト組成物用の改善された下層を使用するマイクロリソグラフィ方法、およびそれによって製造される構造を提供する。【解決手段】 この下層組成物は、高分子結合剤と、マイクロリソグラフィ処理中に熱分解されてアミンを形成するアジドを混合して含む。本発明の下層組成物から形成される膜を化学増感フォトレジスト膜の真下およびそのすぐ近くに塗布した場合、有害な接触反応によって生じるレジスト構造側壁のフットやアンダーカットが減少する。

請求項（抜粋）：

a)マイクロリソグラフィ基板と、b)前記基板の表面に設けられた、高分子結合剤と塩基性化学種とを含む下層膜と、c)前記下層膜上を覆い、放射線の照射を受けるとその中で酸が発生する化学増感フォトレジスト膜とを含み、前記塩基性化学種は前記塩基性化学種の前駆体を熱分解することによって生成されることを特徴とする、マイクロリソグラフィ構造。

IPC (5件)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/012 501 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/095

FI (5件)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/012 501 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/095

引用特許：

審査官引用 (6件)

• レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-161225   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-170548
  
• 化学増幅系レジストとレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-045080   出願人：富士通株式会社
• 樹脂組成物、下層材料およびレジスト像の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-277233   出願人：日立化成工業株式会社
• レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-017983   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-013947