特許
J-GLOBAL ID:200903018024182640
液晶表示装置用基板及びその製造方法並びに液晶表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
泉 克文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-232542
公開番号(公開出願番号):特開2004-070196
出願日: 2002年08月09日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】ソース電極と画素電極のコンタクト部の段差を抑制して最表面の平坦性を改善し、当該コンタクト部の面積を小さくすることによって液晶表示装置の表示品質を向上させる。【解決手段】透明基板101上に、画素毎に、当該TFTアレイ基板100の最表面121の近傍にまで突出した凸パターン115を形成し、その凸パターン115によって、TFT120のソース電極107を最表面121の近傍にまで持ち上げる。最表面121を形成する平坦化膜(カラーフィルター109と透明有機層間絶縁膜111)を形成し、TFT120を覆うと共に、最表面121を凸パターン115の頂面とほぼ同じ高さにする。画素電極112は、コンタクトホール105を介して凸パターン115の頂面でソース電極107と接続する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
透明基板と、
前記透明基板上に画素毎に形成されたスイッチング素子と、
前記透明基板上に前記画素毎に形成された、当該液晶表示装置用基板の最表面の近傍にまで突出した凸パターンと、
前記画素毎に前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた、前記スイッチング素子の電極と、
前記画素のすべてについて前記スイッチング素子と前記凸パターンと前記スイッチング素子の電極を覆うように形成された、前記最表面を形成する平坦化膜と、
前記最表面上に前記画素毎に形成された画素電極とを備え、
前記画素電極は、前記最表面の近傍において対応する前記スイッチング素子の電極と接触せしめられている液晶表示装置用基板。
IPC (6件):
G02F1/1333
, G02F1/1335
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, H01L21/336
, H01L29/786
FI (6件):
G02F1/1333 505
, G02F1/1335 505
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, H01L29/78 619Z
, H01L29/78 627A
Fターム (59件):
2H090HA04
, 2H090HB07X
, 2H090HC05
, 2H090HD03
, 2H090JA05
, 2H090JD14
, 2H090LA01
, 2H090LA15
, 2H091FA02Y
, 2H091FA35Y
, 2H091FB02
, 2H091FD04
, 2H091GA02
, 2H091GA07
, 2H091LA16
, 2H092GA16
, 2H092GA28
, 2H092HA02
, 2H092JA24
, 2H092JA41
, 2H092JB01
, 2H092JB58
, 2H092KB22
, 2H092KB25
, 2H092KB26
, 2H092MA13
, 2H092NA07
, 2H092PA08
, 5F110AA18
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG44
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK33
, 5F110HL07
, 5F110HM02
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN46
, 5F110NN49
, 5F110NN54
, 5F110NN72
, 5F110QQ19
引用特許:
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