特許

J-GLOBAL ID：200903018082960831

半導体積層体の製造方法、積層体の製造方法、半導体素子、および電子機器

発明者： 東 清一郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-376993
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313721
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 ひずみ半導体結晶を、大面積に、安価にしかも簡単なプロセスで形成する。【解決手段】 第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層に対してまたは第1の半導体層および第2の半導体層に対して光照射を行うことにより、第2の半導体層の少なくとも一部分の構造変化を誘起する工程を備える。このようにして形成された第2の半導体層には無欠陥のひずみ半導体結晶が形成されている。このようにして製造した積層体は、移動度のエンハンスメントが起こるので、電流駆動能力が高く、例えば半導体素子に適用した場合、極めて優れた性能を発揮する。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層に対して光照射を行うことにより前記第2の半導体層の少なくとも一部分の構造変化を誘起する工程を含む半導体積層体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 E

Fターム (67件)：

5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA04 ,  5F052DA05 ,  5F052DA06 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052GC02 ,  5F052GC03 ,  5F052GC04 ,  5F052JA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG48 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F140AA05 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA10 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC11 ,  5F140BC12 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BK25 ,  5F140CC03 ,  5F140CC13 ,  5F140CC15 ,  5F140CE18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-240179   出願人：シャープ株式会社
• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-122116   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-239753   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-030873   出願人：株式会社東芝